據悉，和第一代 10nm 工藝相比，三星第二代 10nm 工藝的產能提高了 30%，有助于滿足全球客戶不斷攀升的 DRAM 芯片需求。而且，第二代 10nm 芯片不僅比第一代快 10%，同時功耗還降低了 15%。

　　
三星表示，和 2012 年使用 20nm 工藝生產的 4Gb DDR3 芯片相比，新的 8Gb DDR4 芯片在容量、速度以及功效上都提升了一倍。三星希望通過擴大 10nm DRAM 芯片的生產，深挖服務器、移動和圖形芯片市場，進一步提升整體競爭力。

　　
同時，三星還表示，將在 2018 年把現有多數 DRAM 芯片產能轉移到 10nm 芯片上。

　　
一直以來，DRAM 行業一直被行業三強壟斷。韓國的三星電子、SK海力士以及美國的美光科技擁有該領域的絕對話語權，三者的地位也相對固定。2017年三季度數據顯示，這三家企業的營收市占率分別為45.8%、28.7%和21.0%，共占取全球九成份額。

　　
特別是三星，從 1992 年超越日本 NEC 成為全球最大 DRAM 存儲制造商后，便一直霸占榜首的位置 25 年。而三星 2017 年的業績也非常優秀，可以說，半導體業務是運營利潤的主力。

　　
三星最新的財報顯示，三星今年第三季度利潤翻倍，達到 842 億元，同比增長達到了驚人的 178.9%，創下史上最高記錄。其中，受益于全球芯片價格上漲，半導體部門三季度運營利潤達 9.96 萬億韓元(約合 590.89 億元人民幣)，占整體運營利潤的近69%。

　　
曾有報道稱，自去年第二季度起，DRAM(主要包括移動式內存、PC 內存、服務器內存)產業營收都在一路飆升，每個季度都在刷新銷售額紀錄。此外，據臺灣 DRAM 相關廠商透露，三星、海力士陸續宣布明年首季調漲 DRAM 售價3%-5%。

　　
根據 Gartner 的分析，從產能增加情況和市場需求的預測，明年上半年DRAM產品仍然會緊俏，下半年會達到供需平衡甚至過多，但在局部市場一季度就可能看到回落。

　　
從目前情況看，三星、海力士開始采取行動來予以應對。如三星宣布計劃在平澤設廠擴建 DRAM 產能，SK海力士也宣布將在無錫設廠擴建 DRAM 產能，主流大廠的擴產計劃很有可能緩解持續上漲的走勢。

　　
盡管三星目前透露出擴建 DRAM 產能的消息，但并沒有透露擴建規模的相關計劃。從三星的戰略來看有未來有兩種可能，第一種，擴建的產能規模足夠填補當下需求缺口，那么將緩和本輪價格上漲趨勢;第二，計劃擴建更大產能，那么到明年下半年 PC 內存價格將會逐漸下跌。

本文關鍵詞：DRAM    DDR3

相關文章：國產首條自主DDR4內存由紫光研發

---

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。

英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、ipus、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。

 

?更多資訊關注SRAMSUN.   www.nbbosen.com.cn         0755-66658299