問(wèn)題1：什么是DRAM、SRAM、SDRAM？
　　答：名詞解釋如下
　　DRAM--------動(dòng)態(tài)隨即存取器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)，而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁(yè)模式
　　SRAM--------靜態(tài)的隨機(jī)存儲(chǔ)器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，而且一般不是行列地址復(fù)用的
SDRAM-------同步的DRAM，即數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)需要時(shí)鐘來(lái)同步
 
　　問(wèn)題2：為什么DRAM要刷新，SRAM則不需要？
　　答：這是由RAM的設(shè)計(jì)類型決定的，DRAM用了一個(gè)T和一個(gè)RC電路，導(dǎo)致電容會(huì)漏電和緩慢放電，所以需要經(jīng)常刷新來(lái)保存數(shù)據(jù)
　　
       問(wèn)題3：我們通常所說(shuō)的內(nèi)存用的是什么呢？這三個(gè)產(chǎn)品跟我們實(shí)際使用有什么關(guān)系？
       答：內(nèi)存（即隨機(jī)存貯器RAM）可分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM，和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM兩種。我們經(jīng)常說(shuō)的“內(nèi)存”是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。
 
　　問(wèn)題4：為什么使用DRAM比較多、而使用SRAM卻很少？
　　答：1）因?yàn)橹圃煜嗤萘康腟RAM比DRAM的成本高的多，正因?yàn)槿绱耍攀蛊浒l(fā)展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU內(nèi)部的一級(jí)緩存以及內(nèi)置的二級(jí)緩存。僅有少量的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器以及路由器上能夠使用SRAM。
2）存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)不同導(dǎo)致了容量的不同：一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元大約需要一個(gè)晶體管和一個(gè)電容（不包括行讀出放大器等），而一個(gè)SRAM存儲(chǔ)單元大約需要六個(gè)晶體管。DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問(wèn)題，容量較SRAM大，但是讀寫(xiě)速度不如SRAM。
 
　　問(wèn)題5：用得最多的DRAM有什么特點(diǎn)呢？它的工藝是什么情況？（通常所說(shuō)的內(nèi)存就是DRAM）
　　答：1）DRAM需要進(jìn)行周期性的刷新操作，我們不應(yīng)將SRAM與只讀存儲(chǔ)器（ROM）和Flash Memory相混淆，因?yàn)镾RAM是一種易失性存儲(chǔ)器，它只有在電源保持連續(xù)供應(yīng)的情況下才能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)。“隨機(jī)訪問(wèn)”是指存儲(chǔ)器的內(nèi)容可以以任何順序訪問(wèn)，而不管前一次訪問(wèn)的是哪一個(gè)位置。
　　2）DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問(wèn)題，容量較SRAM大。但是讀寫(xiě)速度不如SRAM，但是現(xiàn)在，SDRAM的速度也已經(jīng)很快了，時(shí)鐘好像已經(jīng)有150兆的了。那么就是讀寫(xiě)周期小于10ns了。
　　3）SDRAM雖然工作頻率高，但是實(shí)際吞吐率要打折扣。以PC133為例，它的時(shí)鐘周期是7.5ns，當(dāng)CAS latency=2 時(shí)，它需要12個(gè)周期完成8個(gè)突發(fā)讀操作，10個(gè)周期完成8個(gè)突發(fā)寫(xiě)操作。不過(guò)，如果以交替方式訪問(wèn)Bank，SDRAM可以在每個(gè)周期完成一個(gè)讀寫(xiě)操作（當(dāng)然除去刷新操作）。
4）其實(shí)現(xiàn)在的主流高速存儲(chǔ)器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便買(mǎi)到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便買(mǎi)到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。
 
　　問(wèn)題6：用得比較少但速度很快，通常用于服務(wù)器cache的SRAM有什么特點(diǎn)呢？
　　答：1）SRAM是靜態(tài)的，DRAM或SDRAM是動(dòng)態(tài)的，靜態(tài)的是用的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來(lái)保存信息，而動(dòng)態(tài)的是用電子，要不時(shí)的刷新來(lái)保持。SRAM是Static Random Access Memory的縮寫(xiě)，中文含義為靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器，它是一種類型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。“靜態(tài)”是指只要不掉電，存儲(chǔ)在SRAM中的數(shù)據(jù)就不會(huì)丟失。
　　2）SRAM其實(shí)是一種非常重要的存儲(chǔ)器，它的用途廣泛。SRAM的速度非?？?，在快速讀取和刷新時(shí)能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。所以SRAM的電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜。
3）從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為異步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。異步SRAM的訪問(wèn)獨(dú)立于時(shí)鐘，數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問(wèn)都在時(shí)鐘的上升/下降沿啟動(dòng)。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號(hào)均于時(shí)鐘信號(hào)相關(guān)。
 
　　最后要說(shuō)明的一點(diǎn)：
　　SRAM不應(yīng)該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應(yīng)該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。